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江苏卓远获得一种碳化硅和硅异质结沟槽逆导型IGBT专利

时间: 2025-02-24 22:18:54 |   作者: 热电偶

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  金融界2025年1月29日音讯,国家知识产权局信息数据显现,江苏卓远半导体有限公司获得一项名为“一种碳化硅和硅异质结沟槽逆导型IGBT”的专利,授权公告号 CN 114551580 B,请求日期为 2022年3月。

  天眼查资料显现,江苏卓远半导体有限公司,成立于2018年,坐落南通市,是一家以从事研讨和实验开展为主的企业。企业注册本钱2740.2862万人民币,实缴本钱923.0968万人民币。经过天眼查大数据分析,江苏卓远半导体有限公司共对外出资了5家企业,参加招投标项目17次,知识产权方面有商标信息3条,专利信息90条,此外企业还具有行政许可15个。

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