双向可控硅触发电路图大全（六款双向可控硅触发电路）

  电路如图3所示，图中MOC3061为光电耦合双向可控硅驱动器，也归于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR而且起到阻隔的效果，R6为触发限流电阻，R7为BCR门极电阻，避免误触发，进步抗干扰才能。当单片机80C51的P1.0引脚输出负脉冲信号时T2导通，MOC3061导通，触发BCR导通，接通沟通负载。别的，若双向可控硅接感流负载时，因为电源电压超前负载电流一个相位角，因而，当负载电流为零时，电源电压为反向电压，加上理性负载自感电动势el效果，使得双向可控硅接受的电压值远超于电源电压。尽管双向可控硅反导游通，但简略击穿，故有必要使双向可控硅能接受这种反向电压。一般在双向可控硅南北极间并联一个RC阻容吸收电路，完成双向可控硅过电压维护，图3中的C2、R8为RC阻容吸收电路。

  此刻无论是翻开开关、和封闭开关（驱动MOC306或许不驱动MOC3061）可控硅都是导通的，即不能封闭可控硅，各样纠结和检查材料后才发现G极和T1之间的联系，安照这个电路接的线开路时，G极的电压等于T2的电压，当沟通电流过双向可控硅时，G极与T1之间总存在一个电压差，即T1与T2之间的电压差，这个电压差就导通了可控硅，所以双向可控硅虽没正、负极的差异，却有T1、T2的差异。

  为了进步功率，使触发脉冲与沟通电压同步，要求每隔半个沟通电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V，脉冲宽度应大于20us.图中BT为变压器，TPL521-2为光电耦合器，起阻隔效果。当正弦沟通电压挨近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，发生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51的外部中止0的输入引脚，以引起中止。在中止服务子程序中运用定时器累计移相时刻，然后宣布双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B两点电压输出波形如图2所示。

  VDI、VD2、Cl与C2组成简略的电容降压半被整流电源，通电后C2两头能取得约12V左右的直流电压供光控电路用电。VT、VD3、R2、R3与RP构成光控电路，白日光敏二极管VD3受光照耀呈低电阻，VT基极电位下降，所以VT截止，可控硅vs得不到触发电压而处于关断状况，灯H不亮。夜间，VD3无光线照耀呈高电阻，VT的基极电位上升，VT导通，就向vs注入正向触发电流，故vs当即注册，灯H全压点亮。调理电位器RP能调理三极管VT的基极电位，然后能对光控灵敏度进行调整。

  此刻无论是翻开开关和封闭开关驱动moc306或许不驱动moc3061可控硅都是导通的即不能封闭可控硅各样纠结和检查材料后才发现g极和t1之间的联系安照这个电路接的线开路时g极的电压等于t2的电压当沟通电流过双向可控硅时g极与t1之间总存在一个电压差即t1与t2之间的电压差这个电压差就导通了可控硅所以双向可控硅尽管没有正负极的差异却有t1t2的差异

  如下图所示，当电网电压小于220V时，双向可控硅SCR2操控极上的电压也随电网电压减小而下降，致使VD2导通角小，C1端电压上升，然后使双向可控硅SCRl操控极电压升高，使输出电压上升。反之，输出电压下降，到达稳压。

  所示，左边为两个30K/2W的电阻，这样约束输入电流为：220V/60K=3.67mA，因为该路只是是为了提取沟通信号，因而小电流输入即可。整流桥芯片选用小功率（2W）的KBP210，之后接入一个光耦（P521），这样如图1整流后信号电压值超越光耦前段二极管的导通电压时，即发生一次脉冲，光耦右侧为一上拉电路，VCC为单片机供电电压：3.3V。光耦三极管导通时，输出低电平，封闭时输出高电平。